原型号
查看详情 · 1 条候选7133SA70J8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MSCDC150A70D1PAG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、反向电压（Vr） 700 V、正向电流（If） 150 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesMSCDC200A70D1PAG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、反向电压（Vr） 700 V、正向电流（If） 200 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesMSCDC300A70AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、反向电压（Vr） 700 V、正向电流（If） 300 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesMSCDC450A70AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、反向电压（Vr） 700 V、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesMSCDC600A70AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、正向电流（If） 600 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesNTA7002NT1G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNTA7002NT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNVTA7002NT1G
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETNVTA7002NT1G
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 154 mA，采用 SC-75-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsOPA703NA/250
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 SOT-23-5 封装。
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