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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FDMA6676PZonsemi
  • NTLJS14D0P03P8ZTAG
2021-10-01查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

35 个原型号
原型号

93AA66AX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA66BX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66BXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93C66AT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66AT-I/MS

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66BT-I/MNY

Microchip Technology

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  • 93AA66BT-I/MNYMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

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  • BR93A66RFJ-WME2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

151 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MPSA66 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA66 TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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PCI9056-BA66BI G

Broadcom / Avago

该型号为接口集成电路，主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、工作电源电压 2.5 V、数据速率 2112 Mb/s、类型 I/O Accelerator - PCI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PBGA-256 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > PCI Interface IC
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PCI9656-BA66BI G

Broadcom / Avago

该型号为接口集成电路，主要参数包括最大时钟频率 66 MHz、工作电源电压 2.5 V、数据速率 4224 Mb/s、类型 I/O Accelerator - PCI、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 PBGA-272 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > PCI Interface IC
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PEX8112-AA66BI F

Broadcom / Avago

该型号为接口集成电路，主要参数包括最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、单件重量 0.015757 oz，采用 BGA-144 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > PCI Interface IC
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PLVA662A,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.2 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 3 %、电压温度系数 2.65 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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PLVA665A,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.5 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 3 %、电压温度系数 2.9 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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PLVA665A-QR

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.5 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 3 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 0 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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PLVA668A,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 3 %、电压温度系数 3.4 mV/K、稳压管电流 10 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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PLVA668A-QR

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 6.8 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 3 %、最大反向漏电流（Ir） 10 nA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 0 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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