7130LA55C
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐
15 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7140LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA100CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA70CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| ATA5577M133SC-DDB | Microchip |
| 2021-10-07 | 查看资料 |
| FSA551UCX | onsemi |
| 2021-10-01 | 查看资料 |
| NE5534ADR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| NE5534DR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| BCW89 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 250 V,采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.6~3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 1.6 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x 4PST,采用 WLCSP-12 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.6~3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 1.6 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x 4PST,采用 WLCSP-12 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 1.5~3 V、电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 1.5 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST,采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 3 V、电源电压(最小值) 1.5 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST、导通电阻(最大值) 800 mOhms,采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsonsemi
该型号为集成电路,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最小值) 1.5 V、电源电压(最大值) 3 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x SPST、导通电阻(最大值) 800 mOhms,采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICsTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.33 V、电源电压(最小值) 4.68 V、工作电源电压 4.68~5.33 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.33 V、电源电压(最小值) 4.68 V、工作电源电压 4.68~5.33 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICIXYS
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1200 V、集电极-发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 84 A,采用 ISOPLUS 247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsIXYS
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.3 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 122 A,采用 TO-263-2L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs