原型号
查看详情 · 1 条候选M4A5-64/32-12VI48
Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
OPA567AIRHGTG4
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、每通道输出电流 2 A、放大器类型 High Output Current Amplifier，采用 VQFN-12 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA569AIDWP
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、每通道输出电流 2 A、放大器类型 Rail to Rail Operational Amplifiers，采用 SO-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsOPA569AIDWPR
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、每通道输出电流 2 A、放大器类型 Low Noise Amplifier，采用 SO-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsP4SMA56A
Eaton Electronics
该型号为二极管，主要参数包括极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 77 V、峰值脉冲耗散功率（Pppm） 400 W、原产国家或地区 中国、单件重量 26.455 lbs，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA56CA
Eaton Electronics
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 77 V、峰值脉冲耗散功率（Pppm） 400 W、原产国家或地区 中国、单件重量 26.455 lbs，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA56CAHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 53.2 V、工作电压 47.8 V、钳位电压 77 V，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsPMBTA56,215
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPMBTA56,235
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPMBTA56-QR
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPMBTA56-QVL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT