FQA55N25
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V，采用 TO-3PN-3 封装。
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芯片技术资料
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FSA550BUCX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.6～3 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 1.6 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x 4PST，采用 WLCSP-12 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA550UCX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.6～3 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 1.6 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x 4PST，采用 WLCSP-12 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA551UCX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.5～3 V、电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 1.5 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST，采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA553UCX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 3 V、电源电压（最小值） 1.5 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPST、导通电阻（最大值） 800 mOhms，采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA553UCX
onsemi
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 1.5 V、电源电压（最大值） 3 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x SPST、导通电阻（最大值） 800 mOhms，采用 WLCSP-9 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICsHVDA551QDRQ1
Texas Instruments
该型号为接口集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.33 V、电源电压（最小值） 4.68 V、工作电源电压 4.68～5.33 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICHVDA553QDRQ1
Texas Instruments
该型号为接口集成电路，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.33 V、电源电压（最小值） 4.68 V、工作电源电压 4.68～5.33 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICIXA55I1200HJ
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 84 A，采用 ISOPLUS 247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsIXYA55N65B5
IXYS
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.3 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 122 A，采用 TO-263-2L 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs