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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BR281W31A101V1Gonsemi
  • B300W35A109XXG
2023-12-22查看资料
QS4A101QGRenesas
  • QS3125QG
2022-02-28查看资料
QS4A101QG8Renesas
  • QS3125QG8
2022-02-28查看资料
H3TRBonsemi
  • JEDS22A101
2020-11-13查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

9 个原型号
原型号

74AVC1T45FW5-7

Diodes Incorporated

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AVC1T45GS,132

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AXP1T45GXZ

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

NTS0101GS,132

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

PIC24F08KA101T-I/SS

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

QS4A101QG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐
原型号

XC6603A101ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 2 条候选
  • XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SCANSTA101SMX/NOPB

Texas Instruments

主要参数包括类型 Low Voltage、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、支持的协议 Boundary Scan,采用 nFBGA-49 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Specialized
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SMA101

MACOM

RF Amplifier 5-100MHz NF 3.0dB Gain 17dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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SRA10100

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.211644 oz,采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10100 C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10100 C0G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.85 V、正向浪涌电流(Ifsm) 170 A,采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10100H

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10100HC0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.85 V、正向浪涌电流(Ifsm) 170 A,采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10150

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.211644 oz,采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10150 C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 150 V,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SRA10150H

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括产品 Schottky Rectifiers、认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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