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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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1PGSMA4759HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 14 mA、稳压管阻抗（Zz） 125 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4760 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 68 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 13 mA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4760HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 68 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 13 mA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4761 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 175 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4761HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 12 mA、稳压管阻抗（Zz） 175 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4762 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 11 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4762HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 11 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4763 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 250 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4763HM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 250 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA4764 M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 100 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 9 mA、稳压管阻抗（Zz） 350 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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