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查看详情 · 1 条候选IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
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芯片技术资料
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1PGSMA120ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 120 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 550 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA130Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 130 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 7.7 mA、稳压管阻抗（Zz） 700 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA130ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 130 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 7.7 mA、稳压管阻抗（Zz） 700 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA150Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 150 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 6.7 mA、稳压管阻抗（Zz） 1000 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA150ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 150 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 6.7 mA、稳压管阻抗（Zz） 1000 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA160Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 160 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 6.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 1100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA160ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 160 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 6.3 mA、稳压管阻抗（Zz） 1100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA180Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 180 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗（Zz） 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA180ZHM2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 180 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5.6 mA、稳压管阻抗（Zz） 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1PGSMA200Z M2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 200 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 1500 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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