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151 条型号记录

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PBSS4032SN,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、连续集电极电流 5.7 A，采用 SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4032SP,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 115 MHz、连续集电极电流 - 4.8 A，采用 SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4032SPN,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 140 MHz、连续集电极电流 5.7 A，采用 SO-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041NT,215

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3.8 A、增益带宽积（fT） 175 MHz，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041NT-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区马来西亚、型号别名 934664876215。

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PBSS4041NX,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 130 MHz、连续集电极电流 6.2 A，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041NX-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6.2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041NZ,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 105 MHz、连续集电极电流 7 A，采用 SOT-223-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041NZ-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区马来西亚、型号别名 934664878115。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PBSS4041PT,215

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 8 A、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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