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原厂资料

21 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SBR10100CTB-13-GDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2026-05-05查看资料
SBR10100CTBDiodes Incorporated
  • SBR10100CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10200CTBDiodes Incorporated
  • SBR10200CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR1040CTBDiodes Incorporated
  • SBR1040CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10U200CTB-GDiodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-13
2025-07-23查看资料
SBR10100CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR10100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10200CTFP-2084Diodes Incorporated
  • SBR10200CTFP
2023-05-15查看资料
SBR1045CTL-13-2084Diodes Incorporated
  • SBR1045CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR12A45SD1-T-01Diodes Incorporated
  • SBR12A45SD1-T
2023-05-15查看资料
SBR12E45LH1-13Diodes Incorporated
  • SBR12U45LH1-13
2023-05-15查看资料
SBR12E45LH1-13RDiodes Incorporated
  • SBR12U45LH1-13R
2023-05-15查看资料
SBR15U100CTL-13-2223Diodes Incorporated
  • SBR15U100CTL-13
2023-05-15查看资料
SBR10150CTFPDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10150CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10150CTFP-G
2021-05-24查看资料
SBR10200CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR10200CTB-13-G
2021-05-24查看资料
SBR10200CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10200CTFP
2021-05-24查看资料
SBR1045SP5-7DDiodes Incorporated
  • SBR1045SP5-13
2021-05-24查看资料
SBR10E45P5-7DDiodes Incorporated
  • SBR10E45P5-7
2021-05-24查看资料
SBR10U100CTFP-JTDiodes Incorporated
  • SBR10U100CTFP
2021-05-24查看资料
SBR10U200CTBDiodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-G
2021-05-24查看资料
SBR10U200CTB-13Diodes Incorporated
  • SBR10U200CTB-13-G
2021-05-24查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

114 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SBR1U200P1Q-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 PowerDI123-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR1U30SV-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 0.45 V、正向浪涌电流（Ifsm） 2.5 A，采用 SOT-563-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR1U400P1-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 400 V、正向浪涌电流（Ifsm） 40 A、反向电流（Ir） 50 uA，采用 PowerDI123-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SBR1U40LP-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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