HS3DB M4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。
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原厂资料
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
| 2026-01-06 | 查看资料 |
| AS3D | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS3D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| S3DB | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| S3DBF | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| FDWS9508L-F085 | onsemi |
| 2021-12-21 | 查看资料 |
| FDB9506L-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
HS3DB R4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DB R4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DB R5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DB R5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DBHM4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DBHR4
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DBHR4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DBHR5
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS3DBHR5G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AA-2 封装。
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