原型号
查看详情 · 14 条候选74LVC1G126GV-Q100H
Nexperia USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BD7LS125G-CTLRohm Semiconductor参数相近
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| ADS1211E | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1211E/1K | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1211E/1KG4 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1211U | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1211U/1K | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1211UG4 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1213E | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1213E/1K | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1213U | Texas Instruments |
| 查看资料 |
| ADS1213U/1K | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1210U
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1210UG4
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1255IDBTG4
Texas Instruments
- ADS1255IDBTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选DM74ALS125MX
onsemi
- SN74LS125ADRTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-100IND
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-100IND+
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-70IND
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 11 条候选DS125BR800SQ/NOPB
Texas Instruments
- PI3EQX12908AZFEXDiodes Incorporated直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
FGA20S125P-SN00336
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1250 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大栅射电压 25 V、25°C 时连续集电极电流 40 A，采用 TO-3PN 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsFGA25S125P-SN00337
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1250 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 6 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 TO-3PN 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsMB96F386RSCPMC-GS125N2E2
Cypress Semiconductor
该型号为16 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 56 MHz、程序存储容量 288 kB、数据 RAM 容量 16 kB、ADC 分辨率 10 位、输入／输出数 96 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-12 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUMUSES1252VP1-TE2
NJR
主要参数包括商品名称 MUSES。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio AmplifiersMYS125
Diotec Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 250 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 MicroDIL-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersNSS12500UW3T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－基极电压（VCBO） - 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 WDFN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS12501UW3T2G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 WDFN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSS12501UW3T2G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 12 V，采用 WDFN3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSCFS12500
Semtech
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSCHS12500
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 12.5 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 14.95 V、最大浪涌电流 80 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers