原型号
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S-882125AMH-M2ATFG
ABLIC
该型号为开关稳压器，主要参数包括单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsS-882125APH-M2ATFU
ABLIC
该型号为开关稳压器，主要参数包括类型 Voltage Converter、拓扑结构 Boost，采用 SNT-8A-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsSDM2A20CSP-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 2 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 530 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 20 A，采用 X3-WLB1406-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSDM2A40CSP-7B
Diodes Incorporated
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSTB34N50DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 26 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTB37N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 28 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTB45N40DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 400 V、连续漏极电流（Id） 38 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTB45N50DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 35 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTB45N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET、类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V，采用 D2PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTD12N60DM2AG
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET