IMDQ75R090M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 117 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
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IMDQ75R140M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 17 A、漏源导通电阻（Rds On） 182 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMT65R030M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 71 A、漏源导通电阻（Rds On） 30 mOhms，采用 HSOF-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 225 A、漏源导通电阻（Rds On） 9.9 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW120R014M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 127 A、漏源导通电阻（Rds On） 14 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW120R020M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 98 A、漏源导通电阻（Rds On） 19 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW120R030M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMW120R030M1H SP001727390。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMW120R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 55 A、漏源导通电阻（Rds On） 39 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMW120R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMW120R060M1H SP001808368。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIMW120R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 IMW120R090M1H SP001946164。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET