A8293SESTR-T
Allegro MicroSystems
- A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
Allegro MicroSystems
Allegro MicroSystems
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NXP Semiconductors
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICNXP Semiconductors
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICNXP Semiconductors
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICNXP Semiconductors
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface ICMurata Electronics
该型号为传感器,主要参数包括原产国家或地区 FI。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Motion & Position SensorsMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Gain 24.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Gain 19.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 80 V、连续漏极电流(Id) 60 A,采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 80 V、连续漏极电流(Id) 12 A、漏源导通电阻(Rds On) 37 mOhms,采用 PowerPAK1212-8W 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 8 A、重复反向电压(Vrrm) 20 V,采用 TO-220-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers