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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SURA8210T3Gonsemi
  • NRVUA210VT3G
2021-07-07查看资料
SURA8240T3Gonsemi
  • SURA8240T3G-VF01
2021-07-07查看资料
INA826AIDGKTexas Instruments
  • INA823DGKT
  • INA823DGKR
  • INA826AIDGKR
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OPA637Texas Instruments
  • OPA828
  • OPA627
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

16 个原型号
原型号

A8293SESTR-T

Allegro MicroSystems

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  • A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号
原型号

A8293SETTR-T

Allegro MicroSystems

查看详情 · 2 条候选
  • A8304SESTR-TAllegro MicroSystems相似型号
原型号

AD797BRZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • INA828IDRTexas Instruments相似型号
原型号

AD8057ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

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  • OPA820IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL5156IS-T13

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA820IDRTexas Instruments相似型号
原型号

LM4040B82IDBZT

Texas Instruments

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近
原型号

LM4040BIM3X-8.2

Texas Instruments

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments参数相近
原型号

LM4050BIM3X-8.2

Texas Instruments

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  • LM4040A82IDBZRTexas Instruments相似型号
原型号

LT1168ACS8#TRPBF

Analog Devices Inc.

查看详情 · 2 条候选

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  • INA828IDTexas Instruments相似型号
原型号

OPA627BP

Texas Instruments

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  • OPA828IDRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

152 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PCA82C250T/YM,115

NXP Semiconductors

该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface IC
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PCA82C250T/YM,118

NXP Semiconductors

该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 High Speed、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface IC
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PCA82C251T/YM,112

NXP Semiconductors

该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface IC
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PCA82C251T/YM,118

NXP Semiconductors

该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 4.5~5.5 V、数据速率 1 Mb/s、类型 CAN Controller、最小工作温度 - 40 C,采用 SO-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > CAN Interface IC
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SCA820-D04-004

Murata Electronics

该型号为传感器,主要参数包括原产国家或地区 FI。

半导体 > Sensor ICs > Board Mount Motion & Position Sensors
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SMA82

MACOM

RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Gain 24.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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SMA82-1

MACOM

RF Amplifier 20-250MHz NF 2.8dB Gain 19.0dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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SQJA82EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 80 V、连续漏极电流(Id) 60 A,采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SQSA82CENW-T1_GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 80 V、连续漏极电流(Id) 12 A、漏源导通电阻(Rds On) 37 mOhms,采用 PowerPAK1212-8W 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SRA820 C0

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 8 A、重复反向电压(Vrrm) 20 V,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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