IDT71V3557SA75BQG
Renesas Electronics Corporation
- 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PT7A7514WEX-2017 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSB | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSC | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| PT7A7514WE | Diodes Incorporated |
| 2023-01-31 | 查看资料 |
| HUFA75307T3ST | onsemi |
| 2021-12-20 | 查看资料 |
| HUFA75639S3ST | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Zilog
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Diodes Incorporated
Microchip Technology
Microchip Technology
STMicroelectronics
Torex Semiconductor Ltd
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
Supervisory Circuits Watch Dog Manual Reset VoltageMonitor
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsDiodes Incorporated
Supervisory Circuits MPS Watch Dog Manual Reset, Vltg Monitor
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsDiodes Incorporated
Supervisory Circuits Microprocessor Supervisory
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsDiodes Incorporated
Supervisory Circuits MPS Watch Dog Manual Reset, Vltg Monitor
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsDiodes Incorporated
Supervisory Circuits MPS Watch Dog Manual Reset, Vltg Monitor
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsMACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 2.1dB Gain 21.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 10-500MHz NF 1.7dB Gain 20.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSTMicroelectronics
主要参数包括配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.55 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 115 A、耗散功率(Pd) 375 W,采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsSTMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 120 A,采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsSTMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 150 A,采用 MAX257-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs