原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MCMA700P1800CA
IXYS
主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流（It RMS） 1100 A、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1800 V、最大维持电流（Ih） 300 mA、门极触发电压（Vgt） 2 V，采用 ComPack 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMCMA700P1800CA-PC
IXYS
主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流（It RMS） 1.1 kA、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1.8 kV、最大维持电流（Ih） 300 mA、门极触发电压（Vgt） 2 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > SCR ModulesMCMA700PD1600CB
IXYS
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 700 A、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 2 mA、通态电压 1.16 V、最大维持电流（Ih） 300 mA，采用 Si 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMCMA700PD1600CB-PC
IXYS
主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流（It RMS） 700 A、非重复通态电流 19 kA、额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、通态电压 1.16 V、最大维持电流（Ih） 300 mA，采用 Compack-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMDMA700P1600CC
IXYS
SCR Modules Standard Rectifier Module
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMDNA700P2200CC
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 德国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diode ModulesMPSA70
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 4 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA70 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA70 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMSCDC100A70D1PAG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 Phase Leg、反向电压（Vr） 700 V、正向电流（If） 100 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.5 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode Modules