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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HX21333002	Diodes Incorporated	HX2A333003	2024-06-25	查看资料
KA339	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339A	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339ADTF	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料
KA339DTF	onsemi	LM339DR2G	2019-11-04	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

115 个原型号

原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

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OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号

原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号

原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

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LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号

原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

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XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号

原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

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BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号

原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA337AIDGKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 1 kHz、共模抑制比（CMRR） 106 dB，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

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INA337AIDGKT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 1 kHz、共模抑制比（CMRR） 106 dB，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

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INA337AIDGKTG4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、共模抑制比（CMRR） 106 dB、输入偏置电流（Ib） 2 nA，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

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INA338AIDGST

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 1 kHz、共模抑制比（CMRR） 106 dB，采用 MSOP-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers

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IXA33IF1200HB

IXYS

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 58 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors

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IXD1504A3317R-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器（LDO）。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators

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IXD1504A3319R-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器（LDO）。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators

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IXD1504A331MR-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器（LDO）。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators

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IXD1504A331NR-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器（LDO）。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators

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IXD2140A331MR-G

ZiLOG

该型号为开关稳压器。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators

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