原型号
查看详情 · 20 条候选74AVC1T45FW5-7
Diodes Incorporated
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 12 条候选74AVC1T45GS,132
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 13 条候选74AXP1T45GXZ
Nexperia USA Inc.
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- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SD/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选DS15BA101SDE/NOPB
Texas Instruments
- DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
查看详情 · 10 条候选NTS0101GS,132
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选PIC24F08KA101T-I/SS
Microchip Technology
- PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选QS4A101QG
Renesas Electronics Corporation
- QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选XC6603A101ER-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
QPA1017D
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 5.7～7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 28 dB，采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1019
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 4.5～7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1019D
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 4.5～7 GHz、测试频率 7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier，采用 Chip 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQPA1019TR7
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 22 V、工作频率 4.5～7 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 30 dB，采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQS4A101QG
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsQS4A101QG8
IDT
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 4.75 V、供电类型 Single Supply、开关数 4 Switch、配置 4 x SPST，采用 QSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsRC19013A101GNG#BBG
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsRC19013A101GNG#KBG
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsRFPA1012TR7
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、测试频率 2.11～2.17 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 DFN-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSCANSTA101SM/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 3.3 V、类型 Low Voltage、工作电源电流 250 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是，采用 nFBGA-49 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - Specialized