5T9070PAGI
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
59 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SIHB12N50C-E3 | Vishay |
| 2024-05-02 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-13-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAS116Q-7-F-2545 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| DPS1035FIA-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-08-29 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| DFLS1150-7-2477 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI/W | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| 8V74S4622NLGI8 | Renesas |
| 2022-10-11 | 查看资料 |
| SURS283T3G-VF01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| UDZS11B | Diodes Incorporated |
| 2022-03-31 | 查看资料 |
| 853S111BYILF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 853S111BYILFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LF | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 854S54AKI-01LFT | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 8T33FS6111DXGI8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| BAS116LT3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| 83940DYILF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYILFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 83940DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530DYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 8530FY-01LFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLF/W | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| 87016AYLFT | Renesas |
| 2020-06-11 | 查看资料 |
| DFLS1100-7-G | Diodes Incorporated |
| 2020-05-28 | 查看资料 |
| 2325090 | Infineon |
| 查看资料 | |
| 8611200975 | Infineon |
| 查看资料 | |
| LE25FU406BMS11-TLM-H | onsemi |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C353 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C375 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770011C-F9C975 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012C-F9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770012CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770013CF9C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770023CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P7700280F0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770032CF0C001 | Infineon |
| 查看资料 | |
| P770048CF0C000 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV10 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV13 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV20 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV22 | Infineon |
| 查看资料 | |
| S29GL128P11FFIV23 | Infineon |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
STMicroelectronics
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、数据速率 10 Mb/s、功能 Transceiver、驱动器数 2 Driver、接收器数 2 Receiver,采用 PDIP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-422/RS-485 Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、输出电流 250 mA、输出类型 3-State、类型 Differential Drivers and Receivers,采用 SO-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-422/RS-485 Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 5.25 V、工作电源电压 5 V、输出电流 250 mA、输出类型 3-State、类型 Differential Drivers and Receivers,采用 SO-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-422/RS-485 Interface ICTexas Instruments
该型号为接口集成电路,主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、数据速率 10 Mb/s、功能 Transceiver、驱动器数 2 Driver、接收器数 2 Receiver,采用 SO-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-422/RS-485 Interface ICSyntiant
主要参数包括工作电源电压 1.08~1.98 V、电源电压(最大值) 1.98 V、电源电压(最小值) 1.08 V、技术 MEMS、输出类型 Digital, PDM、端口类型 Bottom,采用 LGA-6 封装。
半导体 > Sensor ICs > MEMS MicrophonesVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 57 A,采用 PowerPAK 1212-8SLW 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 800 mV,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.8 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.8 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.8 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers