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原厂资料

59 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SIHB12N50C-E3Vishay
  • IRFS11N50APbF
2024-05-02查看资料
BAS116Q-13-F-2462Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-13-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-7-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-7-F
2023-09-12查看资料
DPS1035FIA-13Diodes Incorporated
  • DPS1135FIA-13
2023-08-29查看资料
DFLS1100-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2023-05-15查看资料
DFLS1150-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1150-7
2023-05-15查看资料
8V74S4622NLGIRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI/WRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI8Renesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
SURS283T3G-VF01onsemi
  • NRVUS110VT3G
2022-09-30查看资料
UDZS11BDiodes Incorporated
  • V-UDZS11B-07-LTL
2022-03-31查看资料
853S111BYILFRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
853S111BYILFTRenesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFTRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGIRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGI8Renesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
BAS116LT3Gonsemi
  • BAS116LT1G
2021-07-07查看资料
83940DYILFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYILFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
83940DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530DYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
8530DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
87016AYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
87016AYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
87016AYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
DFLS1100-7-GDiodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2020-05-28查看资料
2325090Infineon
  • S29GL01GS11DHA023
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8611200975Infineon
  • S29GL512S11TFA020
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LE25FU406BMS11-TLM-Honsemi
  • LE25U40CMCS00-AH
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P770011C-F9C353Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C375Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C975Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770012C-F9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770012CF9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770013CF9C000Infineon
  • S29GL256S11DHIV23
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P770023CF0C000Infineon
  • S29GL512S11DHI023
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P7700280F0C000Infineon
  • S29GL512S11TFI020
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P770032CF0C001Infineon
  • S70GL02GS11FHI013
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P770048CF0C000Infineon
  • S70GL02GS11FHV023
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S29GL128P11FFIV10Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV13Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV20Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV22Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV23Infineon
  • S29GL128S11FHI
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

25 个原型号
原型号

5T9070PAGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

83940DYLFT

Renesas Electronics Corporation

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  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8530FY-01LFT

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8V74S4622NLGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8P34S1102NLGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A0IDBVTG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A0IDBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A4IDBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A4IDBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1110A5IDBVT

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选
  • ADS1110A0IDBVRTexas Instruments参数相近
原型号

ADS1148IRHBR

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • ADS1148IRHBTTexas Instruments参数相近
原型号

AOZ6184QT

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NS5S1153MUTAGonsemi相似型号
原型号

AS11P2TLRQ

STMicroelectronics

查看详情 · 2 条候选
  • NLASB3157MTR2Gonsemi形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

1,432 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SCS110KE2C

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V at 5 A、正向浪涌电流（Ifsm） 48 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SCS110KGC

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 1200 V、正向电压（Vf） 1.5 V at 10 A、正向浪涌电流（Ifsm） 45 A，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

SCS112AGC

ROHM Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、产品 Schottky Silicon Carbide Diodes、正向电流（If） 12 A、重复反向电压（Vrrm） 600 V、正向电压（Vf） 1.5 V at 12 A、正向浪涌电流（Ifsm） 41 A，采用 TO-220AC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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SIHFS11N50A-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 500 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SIHFS11N50ATRL-GE3

Vishay Semiconductors

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 IL、单件重量 0.139332 oz，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SIS110DN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 14.2 A、漏源导通电阻（Rds On） 54 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

SIS112LDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 8.8 A，采用 PowerPAK 1212-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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SM5S11CAHM3/I

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括通道数 2 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 18.2 V、击穿电压 12.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 198 A，采用 DO-218AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS
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SM6S11AHE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、工作电压 11 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 18.2 V、击穿电压 13.5 V。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS
查看技术资料

SM8S11CAHM3/I

Vishay Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括通道数 2 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 18.2 V、击穿电压 12.2 V、峰值脉冲电流（Ipp） 363 A，采用 DO-218AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS
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