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原厂资料

32 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PAM8404KGRDiodes Incorporated
  • PAM8019EFS-7
2026-01-22查看资料
AZ386MTR-E1Diodes Incorporated
  • PAM8013AKR
2025-08-22查看资料
PAM8106TVRDiodes Incorporated
  • PAM8006ATR
2025-08-22查看资料
PAM8124RHRDiodes Incorporated
  • PAM8006ATR
2025-08-22查看资料
PAM8610TRDiodes Incorporated
  • PAM8006ATR
2025-08-22查看资料
SM803091UMG-TRMicrochip
  • ZL30271LDG1
2025-07-08查看资料
ADM800LANAnalog Devices
  • ADM800MARNZ
2018-02-23查看资料
ADM800LARWZAnalog Devices
  • ADM800MARWZ
2018-02-23查看资料
ADM800MANZAnalog Devices
  • ADM800MARNZ
2018-02-23查看资料
ADM800MARNAnalog Devices
  • ADM800MARNZ
2018-02-23查看资料
ADM802LARNAnalog Devices
  • ADM802LARNZ
2018-02-23查看资料
ADM802MANZAnalog Devices
  • ADM802LARNZ
2018-02-23查看资料
ADM802MARNAnalog Devices
  • ADM802LARNZ
2018-02-23查看资料
ADM802MARNZAnalog Devices
  • ADM802LARNZ
2018-02-23查看资料
ADM803MAKS-REEL7Analog Devices
  • ADM803MAKSZ-REEL7
2018-02-23查看资料
ADM809-5LAKSZ-RL7Analog Devices
  • ADM809-5LAKSZ-REEL
2018-02-23查看资料
ADM809-5LART-REEL7Analog Devices
  • ADM809-5LARTZ-RL7
2018-02-23查看资料
ADM809MAKSZ-REEL7Analog Devices
  • ADM809MAKSZ-REEL
2018-02-23查看资料
ADM809MART-REEL7Analog Devices
  • ADM809MARTZ-REEL7
2018-02-23查看资料
ADM809RARTZ-REELAnalog Devices
  • ADM809RARTZ-REEL7
2018-02-23查看资料
ADM809SARTZ-REELAnalog Devices
  • ADM809SARTZ-REEL7
2018-02-23查看资料
ADM809ZAKSZ-REEL7Analog Devices
  • ADM809ZAKSZ-REEL
2018-02-23查看资料
ADM800LARNAnalog Devices
  • ADM691AARNZ
2017-11-21查看资料
ADM800LARN-REELAnalog Devices
  • ADM691AARNZ-REEL
2017-11-21查看资料
ADM803SAKS-REEL7Analog Devices
  • ADM803SAKSZ-REEL7
2017-11-21查看资料
ADM803TAKS-REEL7Analog Devices
  • ADM803TAKSZ-REEL7
2017-11-21查看资料
ADM805LANAnalog Devices
  • ADM805LANZ
2017-11-21查看资料
ADM809-5SART-REEL7Analog Devices
  • ADM809-5SARTZ-RL7
2017-11-21查看资料
ADM809LART-REEL7Analog Devices
  • ADM809LARTZ-REEL7
2017-11-21查看资料
ADM809RART-REEL7Analog Devices
  • ADM809RARTZ-REEL7
2017-11-21查看资料
ADM809SART-REEL7Analog Devices
  • ADM809SARTZ-REEL7
2017-11-21查看资料
ADM809TART-REEL7Analog Devices
  • ADM809TARTZ-REEL7
2017-11-21查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

46 个原型号
原型号

ADM709LAR-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • STM802LM6FSTMicroelectronics参数相近
原型号

ADM709MARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • STM802MM6FSTMicroelectronics参数相近
原型号

ADM803MAKSZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 3 条候选
  • ADM803MAKSZ-REEL7Analog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADM803SAKS-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 7 条候选
  • ADM803SAKSZ-REEL7Analog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADM809-5LAKS-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 3 条候选
  • ADM6326-31ARTZ-R7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

ADM809JART-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 8 条候选
  • ADM809JARTZ-REEL7Analog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADM809LAKSZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 5 条候选
  • ADM809LAKSZ-REEL7Analog Devices Inc.直接替代候选
原型号

ADM809MAKSZ-REEL7

Analog Devices Inc.

查看详情 · 3 条候选
  • MAX809MEXR+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated参数相近
原型号

ADM809RART-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 14 条候选
  • ADM809RARTZ-REEL7Analog Devices Inc.参数相近
原型号

ADM809ZAKS-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 2 条候选
  • TCM809ZVLB713Microchip Technology参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,161 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TM8050H-8D3-TR

STMicroelectronics

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、类型 High Temperature Thyristor、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 80 A、最大栅极峰值反向电压 5 V，采用 DPAK-2 (TO-252-2) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
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TM8050H-8W

STMicroelectronics

主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 20 uA、通态有效值电流（It RMS） 80 A、最大栅极峰值反向电压 5 V、门极触发电压（Vgt） 1.5 V、门极触发电流（Igt） 50 mA，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs
查看技术资料

TSM80N08CZ C0

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 80 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

TSM80N08CZ C0G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 75 V、连续漏极电流（Id） 80 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

TSM80N1R2CH C5G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

TSM80N1R2CI C0G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

TSM80N1R2CL C0G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-262-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM80N1R2CP ROG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 5.5 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TSM80N400CF C0G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 12 A，采用 ITO-220S-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

TSM80N950CH C5G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 800 V、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 TO-251-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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