1SMA180ZHR2
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
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芯片技术资料
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1SMA180ZHR2G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA180ZHR3
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA180ZHR3G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesASMA101
Advanced Semiconductor, Inc.
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管类型 Bipolar Power、类型 RF Bipolar Power。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar TransistorsAUIPS8121RTRLXSMA1
Infineon Technologies
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 AUIPS8121RTRL SP001514874。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Gate DriversMAAM-008198-SMA162
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMSC017SMA120B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 113 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMSC017SMA120B4
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 113 A、漏源导通电阻（Rds On） 17.6 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC017SMA120B4N
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.2 kV、连续漏极电流（Id） 119 A，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs