SBR1A400P1-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 400 V、正向电压（Vf） 0.88 V、正向浪涌电流（Ifsm） 40 A，采用 PowerDI123-2 封装。
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原厂资料
21 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR1040CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR1045CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13R | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR15U100CTL-13-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR1045SP5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10E45P5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SBR1A40S1-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 20 A，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1A40S3-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1A40S3Q-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1A40SA-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 40 V、正向电压（Vf） 500 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 15 A、反向电流（Ir） 100 mA，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1F
Semtech
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSBR1M100BLP-7
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersSBR1U150SA-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1U150SAQ-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 0.7 V、正向浪涌电流（Ifsm） 42 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1U200P1-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.75 V，采用 PowerDI123-2 封装。
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