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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TAS3108IADCP

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Audio DSPs、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、开发套件 TAS3108EVM2、湿敏性 是，采用 HTSSOP-38 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPs
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TAS3108IADCPG4

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Audio DSPs、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、开发套件 TAS3108EVM2、湿敏性 是，采用 HTSSOP-38 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPs
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TAS3108IADCPR

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Audio DSPs、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、开发套件 TAS3108EVM2、湿敏性 是，采用 HTSSOP-38 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPs
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TAS3108IADCPRG4

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 3.3 V、产品 Audio DSPs、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、开发套件 TAS3108EVM2、湿敏性 是，采用 HTSSOP-38 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio DSPs
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TPS3103E12DBVR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最小值） 0.4 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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TPS3103E12DBVRG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最小值） 0.4 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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TPS3103E12DBVT

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最小值） 0.4 V、输出电流 10 mA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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TPS3103E12DBVTG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.2 V、电源电压（最小值） 0.4 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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TPS3103E15DBVR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最小值） 0.4 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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TPS3103E15DBVRG4

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 3.3 V、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最小值） 0.4 V、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain，采用 SOT-23-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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