原型号
查看详情 · 2 条候选IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
1SMB5944HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 62 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 24 mA、稳压管阻抗（Zz） 100 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5945 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 68 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 22 mA、稳压管阻抗（Zz） 120 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5945HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 68 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 22 mA、稳压管阻抗（Zz） 120 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5946 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 20 mA、稳压管阻抗（Zz） 140 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5946HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 20 mA、稳压管阻抗（Zz） 140 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5947 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 18 mA、稳压管阻抗（Zz） 160 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5947HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 82 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 18 mA、稳压管阻抗（Zz） 160 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5948 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 16 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5948HM4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 91 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 16 mA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMB5949 M4G
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 100 V、耗散功率（Pd） 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 15 mA、稳压管阻抗（Zz） 250 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes