IMBG65R057M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 39 A、漏源导通电阻（Rds On） 74 mOhms。
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IMBG65R072M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 33 A、漏源导通电阻（Rds On） 94 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMBG65R083M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 28 A、漏源导通电阻（Rds On） 111 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMBG65R107M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 24 A、漏源导通电阻（Rds On） 141 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMBG65R163M1HXTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 17 A、漏源导通电阻（Rds On） 217 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMDQ75R016M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 98 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMDQ75R020M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 81 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMDQ75R027M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 64 A、漏源导通电阻（Rds On） 36 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMDQ75R040M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 47 A、漏源导通电阻（Rds On） 52 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMDQ75R060M1HXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 34 A、漏源导通电阻（Rds On） 78 mOhms，采用 HDSOP-22 封装。
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