93AA66AX-I/SN
Microchip Technology
- 93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ROHM Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 BR93A66RFJ-WM、单件重量 0.030018 oz,采用 SOP-J-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-B8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
RF Amplifier 10-1000MHz Gain 37dB NF <3.5dB SMA
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 11 A,采用 PQFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000229 oz。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > USB Switch ICs