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原厂资料

1 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FDMA6676PZonsemi
  • NTLJS14D0P03P8ZTAG
2021-10-01查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

35 个原型号
原型号

93AA66AX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66AXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA66BX-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66BXT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93C66AT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66AT-I/MS

Microchip Technology

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  • 93AA66AT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66BT-I/MNY

Microchip Technology

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  • 93AA66BT-I/MNYMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/MC

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/MCMicrochip Technology相似型号
原型号

93C66CT-I/ST

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66BT-I/SN

Microchip Technology

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  • BR93A66RFJ-WME2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

93LC66CT-I/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC66T/SN

Microchip Technology

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  • 93AA66CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

151 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BR93A66RFJ-WME2

ROHM Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、型号别名 BR93A66RFJ-WM、单件重量 0.030018 oz,采用 SOP-J-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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BR93A66RFVM-WMTR

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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BR93A66RFVT-WME2

ROHM Semiconductor

主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-B8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM
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CA66

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CA66-1

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CGA6618Z

Qorvo

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CGA6618ZSR

Qorvo

主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 5~1000 MHz、测试频率 1000 MHz、技术 GaAs、类型 High Linearity,采用 ESOP-8 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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CRA66

MACOM

RF Amplifier 10-1000MHz Gain 37dB NF <3.5dB SMA

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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FDMA6676PZ

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 11 A,采用 PQFN-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FSA660TMX

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为集成电路,主要参数包括单件重量 0.000229 oz。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > USB Switch ICs
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