原型号
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Microchip Technology
- 93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FMMTA56TA | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| FMMTA56TA-79 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| LA5693MD-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LA5693MC-AH | onsemi |
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| OPA561 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| SA56004AD,118 | NXP |
| 查看资料 | |
| SA56004CD,118 | NXP |
| 查看资料 | |
| SA56004CDP,118 | NXP |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选93AA56AT-I/ST
Microchip Technology
- 93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 5 条候选93AA56B-I/SN
Microchip Technology
- 93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选93AA56C-I/MS
Microchip Technology
- 93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 7 条候选93C56BT-I/MS
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选93LC56A-I/P
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选93LC56A/ST
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 10 条候选93LC56B/ST
Microchip Technology
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- 93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 5 条候选AT93C56-10SI-2.7
Microchip Technology
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- 93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选AT93C56-10TI-2.7
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MPSA56
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56 APM PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56 TRE PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMPSA56BK
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92BK 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTOPA561PWP
Texas Instruments
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 16 V, +/- 8 V、电源电压（最小值） 7 V, +/- 3.5 V、最大双电源电压 +/- 8 V、最小双电源电压 +/- 3.5 V、每通道输出电流 1.2 A，采用 HTSSOP-20 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps