7130LA55C
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐
15 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| 7140LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA100CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA70CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA55CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| ATA5577M133SC-DDB | Microchip |
| 2021-10-07 | 查看资料 |
| FSA551UCX | onsemi |
| 2021-10-01 | 查看资料 |
| NE5534ADR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| NE5534DR2G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| BCW89 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括工作频率 100~150 kHz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersMicrochip Technology
主要参数包括工作频率 100~150 kHz、技术 Si,采用 Non-standard 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > NFC/RFID Tags & TranspondersMicrochip Technology / Atmel
主要参数包括工作频率 100~150 kHz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersMicrochip Technology
主要参数包括工作频率 100~150 kHz、技术 Si,采用 Non-standard 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > NFC/RFID Tags & TranspondersAmpleon
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、漏源导通电阻(Rds On) 60 mOhms,采用 TO-270-2G-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsAmpleon
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、漏源导通电阻(Rds On) 60 mOhms,采用 TO-270-2G-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsAmpleon
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、漏源导通电阻(Rds On) 60 mOhms,采用 TO-270-2F-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsAmpleon
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、漏源导通电阻(Rds On) 60 mOhms,采用 TO-270-2F-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierWolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5.5~8.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifier、增益 26 dB,采用 - 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier