ATA5577M3330C-DDB
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括工作频率 100～150 kHz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders搜索结果
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ATA5577M3330C-DDB
Microchip Technology
主要参数包括工作频率 100～150 kHz、技术 Si，采用 Non-standard 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > NFC/RFID Tags & TranspondersATA5577M3331C-DBB
Microchip Technology / Atmel
主要参数包括工作频率 100～150 kHz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersATA5577M3331C-DBB
Microchip Technology
主要参数包括工作频率 100～150 kHz、技术 Si，采用 Non-standard 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > NFC/RFID Tags & TranspondersBLP5LA55SGXY
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsBLP5LA55SGZ
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2G-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsBLP5LA55SXY
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsBLP5LA55SZ
Ampleon
该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 520 MHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、漏源导通电阻（Rds On） 60 mOhms，采用 TO-270-2F-1-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET TransistorsCA55
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMPA5585030F
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 5.5～8.5 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 26 dB，采用 - 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier