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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

查看详情 · 2 条候选
  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

查看详情 · 1 条候选
  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 14 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA333AIDGKTG4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、共模抑制比（CMRR） 100 dB、输入偏置电流（Ib） 200 pA，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333AIDRGR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 3 V, 5 V、共模抑制比（CMRR） 100 dB、输入偏置电流（Ib） 200 pA，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333AIDRGRG4

Texas Instruments

主要参数包括3 dB 带宽 150 kHz、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333AIDRGT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、双电源电压 +/- 2.75 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、输出电压 1.75 V，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333QDGKRQ1

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、放大器类型 Instrumentation Amplifier、3 dB 带宽 150 kHz、压摆率（SR） 160 mV/us，采用 VSSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333SHKJ

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、双电源电压 0.9～2.75 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、每通道输出电流 55 mA，采用 CFP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333SHKQ

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 1.8～5.5 V、共模抑制比（CMRR） 100 dB、输入偏置电流（Ib） 1.4 nA、输入失调电压（Vos） 25 uV、工作电源电流 198 uA、最小工作温度 - 55 C，采用 CFP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333SJD

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 2.75 V、工作电源电压 5.5 V、放大器类型 Instrumentation Amplifier、输入类型 Analog、输出类型 Rail-to-Rail，采用 CDIP-SB-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333SKGD1

Texas Instruments

主要参数包括3 dB 带宽 150 kHz、共模抑制比（CMRR） 100 dB、输入偏置电流（Ib） 1.4 nA、工作电源电流 198 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 210 C，采用 Die 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA333SKGD2

Texas Instruments

主要参数包括3 dB 带宽 150 kHz、共模抑制比（CMRR） 100 dB、输入偏置电流（Ib） 1.4 nA、工作电源电流 198 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 210 C，采用 Die 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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