FDMT800120DC
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 120 V、连续漏极电流（Id） 129 A，采用 DualCool-88-8 封装。
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芯片技术资料
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FDMT800150DC
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 99 A，采用 Power-33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMT800150DC
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 99 A，采用 Dual Cool 88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsFDMT800152DC
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 Power-33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMT800152DC
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 72 A，采用 Power-33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsFMAM8001
Fairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 9～15 V、工作频率 10 MHz to 6 GHz、类型 Gain Block Amplifiers、工作电源电流 50 mA、增益 14.5 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 14 dBm。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFOD8001
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、输出电流 10 mA、数据速率 25 Mb/s、输出类型 Photo IC、隔离电压 3750 Vrms、正向电流（If） 10 mA，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed OptocouplersFOD8001R2
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括数据速率 25 Mb/s、输出类型 Photo IC、单件重量 0.008889 oz。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > High Speed OptocouplersHTMS8001FTB/AF,115
NXP Semiconductors
主要参数包括存储容量 128 位、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、工作频率 100～150 kHz、类型 Transponder IC、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 40 C，采用 XSON-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID TranspondersHTMS8001FTK/AF,115
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 100～150 kHz、型号别名 935290135115、单件重量 0.000493 oz。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RFID Transponders