SBR15M150D1Q-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、原产国家或地区 中国，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers搜索结果
原厂资料
21 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10100CTB-13-G | Diodes Incorporated |
| 2026-05-05 | 查看资料 |
| SBR10100CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR1040CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| SBR10100CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR1045CTL-13-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR12E45LH1-13R | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR15U100CTL-13-2223 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10150CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR1045SP5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10E45P5-7D | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U100CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10U200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SBR15U100CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 15 A、正向电压（Vf） 800 mV、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、高度 2.29 mm，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR15U100CTLQ-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Dual、正向电流（If） 7.5 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 800 mV，采用 DPAK-3 (TO-252-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR15U30SP5-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 POWERDI，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR15U30SP5Q-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single Dual Anode、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 420 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR15U50SP5-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 15 A、正向电压（Vf） 520 mV、配置 Single、反向电流（Ir） 0.5 mA、最小工作温度 - 65 C，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR15U50SP5Q-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.52 V、正向浪涌电流（Ifsm） 256 A，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR160S23-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向浪涌电流（Ifsm） 15 A、反向电流（Ir） 100 uA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1A20T5-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si，采用 SOD-523-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR1A30T5-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 10 A，采用 SOD-523-2 封装。
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