IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 39 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗(Zz) 45 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 35 mA、稳压管阻抗(Zz) 53 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 43 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 35 mA、稳压管阻抗(Zz) 53 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 47 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 32 mA、稳压管阻抗(Zz) 67 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 47 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 32 mA、稳压管阻抗(Zz) 67 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 51 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 29 mA、稳压管阻抗(Zz) 70 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 51 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 29 mA、稳压管阻抗(Zz) 70 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 56 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 27 mA、稳压管阻抗(Zz) 86 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 56 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 27 mA、稳压管阻抗(Zz) 86 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 62 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 24 mA、稳压管阻抗(Zz) 100 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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