FES1DE
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 200 V、配置 Single、正向电压(Vf) 870 mV、最大浪涌电流 30 A、反向电流(Ir) 10 nA,采用 DO-219AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers4 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| U1D-E3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-E3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/5AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U1D-M3/61T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 200 V、配置 Single、正向电压(Vf) 870 mV、最大浪涌电流 30 A、反向电流(Ir) 10 nA,采用 DO-219AA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDiodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
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主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
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