V62/04755-01XE
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V, +/- 20 V、电源电压（最小值） 4 V, +/- 2 V、技术 BiFET、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier、输入类型 Rail-to-Rail、共模抑制比（CMRR） 110 dB，采用 SOIC-8 封装。
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V62/04755-06YE
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 40 V, +/- 20 V、电源电压（最小值） 4 V, +/- 2 V、技术 BiFET、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier、输入类型 Rail-to-Rail、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersV62/06674-01XE
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 38 V、电源电压（最小值） 8 V、输出类型 Rail-to-Rail、共模抑制比（CMRR） 131 dB、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 125 C，采用 SOIC-8 封装。
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