BAV70_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 150 mA、配置 Common Cathode、恢复时间 4 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes搜索结果
原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BAV70 | Diodes Incorporated |
| 2023-08-29 | 查看资料 |
| BAV70-7-F-79 | Diodes Incorporated |
| 2026-01-26 | 查看资料 |
| BAV70Q-13-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| BAV70WQ-7-F-2462 | Diodes Incorporated |
| 2023-09-12 | 查看资料 |
| NSVBAV70DXV6T5G | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| BAV70-7-F-31 | Diodes Incorporated |
| 2020-11-17 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ABAV70-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 300 mA、配置 Dual、恢复时间 4 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesNSVBAV70DXV6T5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingNSVBAV70TT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingNSVBAV70TT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 70 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SOT-416-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingSBAV70LT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 6 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingSBAV70LT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual、恢复时间 6 ns，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingSBAV70WT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 0.5 A、正向电流（If） 200 mA、配置 Dual，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingTBAV70,LM
Toshiba
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、单件重量 0.000317 oz。
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