A8650KLYTR-T
Allegro MicroSystems
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- A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注:厂商推荐
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SURA8120T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8140T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8160T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SBRA8160T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| KSA812YMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| INA118P | Texas Instruments |
| 查看资料 |
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、压差 250 mV、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是,采用 SON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1200 V、正向电流(If) 8 A、配置 Single、正向电压(Vf) 2.8 V、最大浪涌电流 80 A,采用 TO-220AC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 1200 V、正向电流(If) 8 A、配置 Single、正向电压(Vf) 2.8 V、最大浪涌电流 80 A,采用 TO-220AC-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 10 V、工作电源电压 10 V、放大器类型 VGA、压摆率(SR) 350 V/us,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 10 V、工作电源电压 10 V、每通道输出电流 60 mA、放大器类型 VGA,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4 V、放大器类型 VGA、压摆率(SR) 350 V/us、共模抑制比(CMRR) 85 dB,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 10 V、工作电源电压 10 V、每通道输出电流 60 mA、放大器类型 VGA,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 10 V、工作电源电压 10 V、放大器类型 VGA、压摆率(SR) 350 V/us,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 10 V、电源电压(最小值) 10 V、工作电源电压 10 V、每通道输出电流 60 mA、放大器类型 VGA,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Special Purpose AmplifiersDiodes Incorporated
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 2.1 A, 2.2 A,采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET