原型号
查看详情 · 1 条候选7133SA70J8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IPSA70R2K0CEAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 CoolMOS、型号别名 IPSA70R2K0CE SP001605400。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R360P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 12.5 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 10 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R600CEAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 CoolMOS、型号别名 IPSA70R600CE SP001605364。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 8.5 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R750P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 6.5 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 700 V、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 PG-TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIPSA70R950CEAKMA1
Infineon Technologies
主要参数包括商品名称 CoolMOS、型号别名 IPSA70R950CE SP001605396。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXA70I1200NA
IXYS
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 100 A，采用 SOT-227B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules