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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FMMTA56TA	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
FMMTA56TA-79	Diodes Incorporated	MMBTA56-7-F	2021-03-15	查看资料
LA5693MD-AH	onsemi	TPS7XXX	2020-09-29	查看资料
LA5693MC-AH	onsemi	LA5693MD-AH		查看资料
OPA561	Texas Instruments	OPA564		查看资料
SA56004AD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CD,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料
SA56004CDP,118	NXP	SA56004ADP,118		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

22 个原型号

原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

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93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

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93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

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93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选

原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

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93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

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93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

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93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

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93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

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93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MMBTA56Q-13-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 View 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBTA56Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBTA56WT1G

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMBTA56WT1G

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56Q-7

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56Q-7-F

Diodes Incorporated

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 $0.073 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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MMSTA56T146

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、最大直流集电极电流 - 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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