7133LA45J
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
26 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A45CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| UX31451001 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CT | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR8A45SP5-13-2169 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| SBR20A45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| KA4558 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA4558DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| ADA4505-1ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-1ARJZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-2ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-4ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| CG7956AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG7956AAT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG8084AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 344 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 2.7 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 180 MHz,采用 PBGA-456 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 100 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 0 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 2.7 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 180 MHz,采用 FBGA-144 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 100 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 100 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 180 MHz,采用 FBGA-144 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 186 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 0 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 186 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.3 V、电源电压(最大值) 2.7 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 180 MHz,采用 FBGA-256 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 186 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.625 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 186 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 2.625 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 180 MHz,采用 FBGA-256 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 186 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.7 V、电源电压(最小值) 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array