原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA35TF8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7132LA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7133LA35PFI8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7133SA35PFG8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
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- 7140LA25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71421SA35PF
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- 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7143LA35J8
Renesas Electronics Corporation
- 7143LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71V321LA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71V321L25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DSA35-18A
IXYS
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 1800 V、正向电流（If） 49 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.55 V、最大浪涌电流 650 A，采用 DO-203AB (DO-5) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersFCA35N60
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 600 V N-Channel MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETGBJA3506_T0_00301
Panjit
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 600 V，采用 GBJA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBJA3508_T0_00301
Panjit
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 800 V，采用 GBJA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersGBJA3510_T0_00301
Panjit
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 35 A、峰值反向电压 1 kV，采用 GBJA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersINA350ABSIDDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 50 kHz、压摆率（SR） 240 mV/us，采用 SOT-23-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA350ABSIDSGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 50 kHz、压摆率（SR） 240 mV/us，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA350ABSIRUGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、技术 Si、输入类型 Rail to Rail、压摆率（SR） 240 mV/us，采用 X2QFN-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA350CDSIDDFR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、输入类型 Differential、3 dB 带宽 40 kHz、压摆率（SR） 240 mV/us，采用 SOT-23-THIN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA350CDSIDSGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、输入类型 Differential、3 dB 带宽 40 kHz、压摆率（SR） 240 mV/us，采用 WSON-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers