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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SF20JG_HF-A26Diodes Incorporated
  • SF20JG_HF
2025-07-23查看资料
PT8A2648WEDiodes Incorporated
  • PT8A2648WEX
2023-01-31查看资料
FSA2267L10Xonsemi
  • TS5A26542
2022-06-30查看资料
FSA266K8Xonsemi
  • SN74CB3Q3306A
2022-06-30查看资料
MMT05A260T3Gonsemi
  • TISP4320M3AJ
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

47 个原型号
原型号

AD8056AR

Analog Devices Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8056ARZ

Analog Devices Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8058ARZ

Analog Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8072JRZ

Analog Devices Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

EL1516ISZ

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL2250CS-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 8 条候选

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL5263ISZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 18 条候选

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  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

LMH6626MAX/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2690IDTexas Instruments相似型号
原型号

MIC5306-2.6YD5-TR

Microchip Technology

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1333A26-M5T1U3ABLIC Inc.相似型号
原型号

OPA2674IDRG4

Texas Instruments

查看详情 · 16 条候选
  • OPA2674IDRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

328 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MCXA266VLH

NXP Semiconductors

该型号为微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 中国、湿敏性 是、型号别名 935465958557。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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MCXA266VLL

NXP Semiconductors

该型号为微控制器（MCU），主要参数包括组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 中国台湾、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、型号别名 935465954557。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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MCXA266VLQ

NXP Semiconductors

该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 240 MHz、程序存储容量 1 MB、数据 RAM 容量 256 kB、ADC 分辨率 16 位、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 114 个输入／输出，采用 LQFP-144 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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MPSA26

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、最大集电极截止电流 0.1 uA，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA26 APM PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA26 APM TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA26 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 韩国、单件重量 0.007266 oz，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA26 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MPSA26 TRE TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistors
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MURA260T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.45 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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