原型号
查看详情 · 1 条候选66AK2H12BAAWA24
Texas Instruments
- 66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 6KA24L-01HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-2HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-4HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-6600HE3_A/P | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-7001HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| FSA2457UMX | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| FSA2467UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MMT05B260T3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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Texas Instruments
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Microchip Technology
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原型号
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ABLIC Inc.
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- XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
FSA2466UMX
onsemi
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 4.45 V、供电类型 Single Supply、配置 2 x DPDT、导通电阻（最大值） 2 Ω，采用 UQFN-16 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICsFSA2467MPX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～4.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x DPDT，采用 MLP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsGD25Q127CBIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 27 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q127CZIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 128 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 27 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q256DBIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 256 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q32CBIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q32CZIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q64CBIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25Q64CZIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、存储容量 64 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 20 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashGD25S512MDBIGY
GigaDevice
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、读取工作电流（最大值） 25 mA，采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR Flash