原型号
查看详情 · 1 条候选AT97SC3204T-U1A180
Microchip Technology
- AT97SC3204T-U2A1B-10Microchip Technology直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
STSA1805-AP
STMicroelectronics
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 TO-92-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTT10A180
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 220 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 170 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 150 mA，采用 DO-15-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)T10A180B
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 220 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 170 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 120 mA，采用 DO-15-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)T10A180E
Littelfuse
主要参数包括转折电压（VBO） 220 V、最大转折电流（IBO） 800 mA、非重复通态电流 20 A、额定重复断态电压（VDRM） 170 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 180 mA，采用 DO-15-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)TV04A180J-G
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 20 V、工作电压 18 V、钳位电压 29.2 V，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsTV04A180J-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 20 V、工作电压 18 V、钳位电压 29.2 V，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsVS-301URA180
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 Rectifiers、型号别名 301URA180、单件重量 7.054792 oz，采用 DO-205AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingVS-HFA180NH40PBF
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 395 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.8 V、最大浪涌电流 1200 A，采用 D-67 封装。
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