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芯片技术资料

265 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PE8012P

Pasternack

主要参数包括原产国家或地区 美国、单件重量 0.368000 oz。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Detector
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PWY8012

Diotec Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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Q8012LH2TP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、商品名称 Teccor,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012LH5

Littelfuse

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、最大维持电流(Ih) 50 mA,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012LH5TP

Littelfuse

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、最大维持电流(Ih) 50 mA,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012NH2RP

Littelfuse

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V,采用 SMTO-263-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012NH2TP

Littelfuse

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V,采用 SMTO-263-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012NH5RP

Littelfuse

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、最大维持电流(Ih) 50 mA,采用 SMTO-263-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012NH5TP

Littelfuse

主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 12 A、非重复通态电流 110 A, 120 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、最大维持电流(Ih) 50 mA,采用 SMTO-263-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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Q8012RH2TP

Littelfuse

主要参数包括VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.6 V、商品名称 Teccor,采用 TO-220-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Triacs
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