F2800157QRHBRQ1
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 18 个输入/输出,采用 VQFN-32 封装。
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Texas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 18 个输入/输出,采用 VQFN-32 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 27 个输入/输出,采用 HTQFP-48 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 27 个输入/输出,采用 HTQFP-48 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 37 个输入/输出,采用 LQFP-64 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 37 个输入/输出,采用 LQFP-64 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 52 个输入/输出,采用 LQFP-80 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUTexas Instruments
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 120 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 36 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入/输出数 52 个输入/输出,采用 LQFP-80 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 162 A,采用 DualCool-88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETonsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 162 A,采用 DualCool-88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 120 V、连续漏极电流(Id) 129 A,采用 DualCool-88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET