Z1SMA1
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 770 mV、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 6.5 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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芯片技术资料
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Z1SMA10
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 5.2 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA100
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 100 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 200 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA11
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 11 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA12
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 7 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA13
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 13 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA15
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 11 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA15-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 11 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA16
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 13 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesZ1SMA18
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 1 uA、稳压管阻抗（Zz） 18 Ω、最小工作温度 - 50 C，采用 DO-214AC-2 封装。
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