1SMA5913BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
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1SMA5913BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5914BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 35.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5914BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 35.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 9 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5915BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.9 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 385 mA、稳压管阻抗（Zz） 7.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5915BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.9 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 12.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 7.5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5916BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5916BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 6 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5917BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5917BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 5 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
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